DAGNH 751200

Fast IGBT 1200V

!_prilohy_!:

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DAGNH751200_Da.pdf

ID Code:	183090
Fabricante:	Daco Semiconductor
Precio con IVA :	80,123887 €
Precio sin IVA :	66,218088 €
VAT:	21 %
Disponibilidad:	a petición

Stock total:	0 pcs
Fabricante de la marca:	DAGNH 751200
Almacén central Zdice:	0 pcs
Unidad::	pcs

Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)	Precio sin IVA		Precio con IVA
1 +		66,218088 €		80,123886 €
4 +		62,893331 €		76,100931 €
8 +		45,517514 €		55,076192 €
64 +		39,342965 €		47,604988 €

High Speed IGBT 1200V above 15kHz

Información básica:

Fabricante de la marca	DAGNH 751200
Kategorie	IGBT Full Silicon
Configuración:	Half Bridge 1*(Phase Leg)
Construcción:	2*(IGBT+D)
Número de circuitos	2 ks
Tipo de caso:	Modul
Caso [inch] :	HW-9434
Tipo de material:	Si-Silicon
Material Base	Cu
RoHS	Sí
REACH	No
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Embalaje y peso:

Unidad:	pcs
Peso:	167.7 [g]
Tipo de envase:	BOX
Paquete pequeño (Número de unidades):	64

Parámetros electrofísicos:

I_FAV / I_C (Tc/Ta=25°C)	150 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=80÷89°C)	75 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	3600 [V]
U_F (maximum forward voltage)	2.3 [V_DC]
U_{CE (sat)} (@25°C)	2.8 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)	350 [W]
t_rr recovery time (If=Inom.,@25°C)	162 [ns]
t_r (Turn-on / rise time)	150 [ns]
tf (turn-off=fall time)	50 [ns]
Cin/CL Load Capacitance	14000 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

T_min (temperatura mínima de trabajo)	-40 [°C]
T_max (temperatura de trabajo máxima)	150 [°C]
Rthjc1 IGBT	0.36 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor	0.55 [°C/W]
L - Longitud	94 [mm]
W - Ancho	34 [mm]
H - Altura	30 [mm]

Alternativas y sustitutos

Alternativa 1:

181826 - SKM 75GB12F4 (SMK)

!_souvisejici zbozi_! - DAGNH 751200

I+case 34x 94_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-2, INT-A-PAK and size 34x94mm
ID: 181711 Fabricante no.: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2